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Backlighting High lumen 2016 3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K PCT SMD LED CHIP Phone Flash light

Informations de base
Place of Origin: SUZHOU
Nom de marque: PHOENIX
Certification: LM80 CE ROHS
Model Number: 2016
Minimum Order Quantity: 16000PCS
Prix: Négociable
Packaging Details: 4000PCS /ROLL
Delivery Time: 7-10 DAYS
Payment Terms: Western Union, MoneyGram, T/T
Supply Ability: 400KK PER MONTH
nom: Couleur blanche de SMD LED 2016 Flux lumineux (LM): 28-30lm
Index de rendu de couleur (Ra): 80 LE TDC: 6500K
Puissance: 0.2W tension de nput (V): 3V
Garantie (année): 2 ans Temps de travail (heures): 20000
Température de fonctionnement (℃): -40-85 Efficacité lumineuse de lampe (lm/w): 140

Éclairer la lumière à contre-jour élevée de PCT SMD LED CHIP Phone Flash du lumen 2016 3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K
 
1.Product Freatures

. Efficacité de 140 lm/W typiques pour 6500K, C.P. 80

. Adoptez la puce de bonne qualité et le cadre, bonne stabilité antistatique ultra à faible atténuation

. Intense luminosité, rendu de couleur vive à faible atténuation

. Options de C.P. du minimum 80, 90 et 95

. Soudure forte et bonne lumière de vampires de stabilité

 

. Série de produit et logo de société sur l'avant

. Certification de la CE ROHS LM80

 

. Angle de visualisation : 120 degrés
soudure sans plomb conforme de .RoHS compatible
structure 2.Package

Backlighting  High lumen 2016  3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K PCT SMD  LED CHIP  Phone Flash light 0Backlighting  High lumen 2016  3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K PCT SMD  LED CHIP  Phone Flash light 1

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estimations 3.Absolute maximum
 

ArticleSymboleCapacités absoluesUnité
Courant en avantSI60mA
Tension inverseVr5V
Courant en avant pulséIFP*90mA
Dissipation de puissancePalladium0,2W
Température de fonctionnementDESSUS-40~85
Température de stockageEssai-40~85
Décharge électrostatiqueESD2000 (HBM)V
La température de jonctionTj110
Résistance thermique de LEDS-j de Rth27℃/W

 
courbes de caractéristiques 4.Typical électro-optiques

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Liste d'essai de fiabilité 5.LED

 

Article d'essaiConditions d'essaiNormeQuantité (PCs)
Essai de durée25℃, 1000Hrs@60mA/22
Haute température85℃, 1000Hrs@60mA/22
Basse température-40℃, 1000Hrs@60mA/22
La chaleur de humidité élevé

85℃, 85%RH,

1000Hrs@60mA

/22
Stockage de basse température-40℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 202

22
Stockage à hautes températures100℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 201

22
Cycle de la température(- 40' C 30mins --25' C (5mins)--100 ' C (30mins), taux changeant de Temp : 3+/-0.6' C/min)

JEITA ED-4701

100 105

22
Choc thermique-40 ' C (15mins) --100 ' C (15mins), temps changeant <5mins> MIL-STD-202G22
Essai de durée d'impulsionTp=1ms, DC=0.1, D=Tp/T @ 3×60mA, 1000Hours/22
Essai d'ESD (HBM)essai 3times de 2000V, de 200V/Step, en avant et inverse

L'AEC

(Q101-001)

22
Résistance de soudure

260±5℃, 10S, 3times

Traitement préparatoire 30℃, 70%RH

JEITA ED-4701

300 302

22
Délabrement du ré-écoulement IV

260±5℃, 10S, 1time

Traitement préparatoire 30℃, 70%RH, 168Hours

/22
Critères de jugement
Tension en avant VFMaximum-augmentation de VF < 1="">
IR actuel inverseMaximum-augmentation d'IR < IRmax="">
Intensité lumineuse IVIV délabrement < 40="">
Le ※ soudent des critères d'épreuve d'aptitude : la couverture n'est pas moins de 95%
Note : La mesure sera prise après que les échantillons examinés aient été retournés aux conditions ambiantes normales (généralement après deux heures)

 

 
 
  

Coordonnées
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